所谓的soi就是绝缘体上的硅技术的缩写，这种技术和传统的纯硅晶圆不同，它使用的晶圆底部是一层绝缘层。
这层绝缘体切断了上方mos管漏电流的回路，使得芯片能够轻松抵抗漏电流。
不过看到刘言的兴奋劲，乐远当然不忍心打断他。能够在这么短的时间内逆向星空一号的处理的45nm工艺，是很不容易的，可想而知，他们这些人付出了多少东西。
“而在193nm浸没式光刻技术的基础上，想要突破到32nm，依旧有了初步的可能性，我们只需要提升光刻设备即可。”
来了，本来昏昏欲睡的乐远精神一振，现在讲的就是他特意飞回来要听的东西了。
“首先，我们要说一下超低k电介质，气隙技术，针对32nm节点的半导体制程节点发展蓝图中，必须采用超低k电介质来降低相邻金属线之间的寄生电容，特别是互连层上。”
“而气隙技术，可以在32nm芯片的金属线间制造完全的真空状态，以减少互连层百分之三十到四十的寄生电容，具体的数字还要以后继续实验才能得出来。”
当气隙技术四个字刚从刘言最里面说出来的时候，乐远就是一愣，这个名称他有印象，只不过是上一世听过的。
这是ibm公司在08年09年那两年开发出的一种技术，现在这个时间段他们还没有开发出来。
等到后面刘言说这种技术可...-->>
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