首先在芯片的制造上，采用最新500nm工艺制程，
在芯片耗电量上，李飞决定采用cmos工艺，
cmos工艺在芯片耗电量非常有优势，cmos集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。
而fm芯片的cmos工艺在华夏国直到2016年研发成功，
fm芯片外围一定要少，一款fm芯片总器件不超过10个，
那么，需要把fm的调谐器，压控振荡器，中频滤波器，运算放大器，混频器，音频放大器…，全部集成在芯片内部上。
fm芯片提供两种规格：贴片式封装和插件式封装。
fm收音频段：76mhz~108mhz。
制定了fm芯片规格后，李飞就开始设计芯片，
而芯片设计一般分为前端的逻辑设计和后端的物理设计，
芯片前端设计的开始任务是对fm的芯片内部模块进行合理地划分功能，以及确定各个模块的功能指标，例如：中频滤波器，运算放大器，混频器，音频放大器…
再输入硬件描写语言，以代码来描述去实现模块功能，并生成电路图和状态转移图，然后再用ce的verilog－xl，c-verilog进行仿真，确定模块电路设计是否正确，
接着，用ce的pks输入硬件描述语言转换成门级网络表，去确定电路的面积，时序等目标参数上达到的标准，确定相关参数后，再一次进行仿真，确定模块电路是否无误，
然后，进行后端设计的数据准备，是确定前期逻辑设计用硬件描述语言生成的门级网络表，以及模块电路与芯片制造工厂提供的标准单元、宏单元和i/opad的库文件相等一致...
再进行芯片布局，芯片布线...